Сервисный центр ITmart

09/10/2017

19/06/2017

07/11/2016

http://itmart.kz/category/montazh-i-naladka-oborudovanija/

02/09/2016

3D-принтер «Альфа»

21/07/2016

В Сингапуре создана первая гибкая микросхема магниторезистивной памяти с произвольным доступом.

Быстрая и гибкая
Специалисты Национального университета Сингапура (NUS) создали первую в мире гибкую микросхему магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).

Выглядит новая схема как маленький кусочек пластиковой пленки с нанесенным на него рисунком.

К достоинствам MRAM относится высокое быстродействие и способность хранить информацию в отсутствие питания, что делает ее универсальной заменой памяти DRAM и NAND. Однако, стоит отметить, что по плотности MRAM пока уступает этим типам памяти.

Открытие гибкой микросхемы уже запатентовано в США и Южной Кореее. Подходы, которые были применены для создания гибкой памяти, специалисты рассчитывают применить и для создания других гибких электронных приборов, которые тоже могут найти применение в носимой электронике.

Предыдущие открытия
С момента изобретения специалистами IBM магниторезистивной памяти прошло 20 лет, но за последние годы специалистам IBM и Samsung удалось продемонстрировать хорошую масштабируемость памяти STT-MRAM (магниторезистивная память, в которой используется эффект передачи момента спина), уменьшив ее ячейку до 11 нм. Изменение состояния ячейки выполняется всего за 10 нс, а потребляемый при этом ток составляет 7,5 мкА.

Ячейку MRAM можно представить как пару магнитов с изолирующим слоем между ними. Если полярность магнитов совпадает, считается, что в ячейке записан «0», в противном случае — «1». Один магнит имеет постоянную полярность, а направление намагниченности второго можно менять, записывая информацию.

Другие аналоги DRAM

Представленный в мае 2016 г. в Париже на конференции IEEE International Memory Workshop рабочий прототип первой в индустрии памяти PCM предусматривает возможность записи в каждую ячейку трёх бит данных. Иными словами, в компании смогли утроить ёмкость чипа PCM, не уменьшая масштаб техпроцесса и не снижая объём ячейки. Это обещает привести к более широкому использованию памяти PCM. По быстродействию она приближается к скорости работы оперативной памяти, что делает её кандидатом на единую универсальную память в будущем.

До сих пор главными препятствиями на пути коммерциализации памяти PCM являлись ее высокая стоимость и очень низкая плотность – не более одного бита на ячейку. Это ограничение делало невозможным применение памяти PCM в смартфонах или ноутбуках. К достоинствам PCM можно отнести сочетание высокой производительности, почти такой же, как у DRAM, с энергонезависимостью флэш-памяти. Более того, от флэш-памяти PCM отличается более длительным сроком службы – до 10 млн циклов перезаписи против 3 тыс. перезаписей у флэш-памяти.

08/07/2016

Samsung выпустил карты памяти нового типа.

Samsung представил карты памяти нового поколения, которые призваны заменить microSD. Базирующиеся на новом стандарте, они предлагают в десятки и сотни раз более высокую производительность.

Первые карты памяти на базе UFS 1.0 Card Extension
Компания Samsung Electronics представила первые в мире карты памяти на базе стандарта JEDEC Universal Flash Storage (UFS) 1.0 Card Extension для использования в цифровых зеркальных фотокамерах, камерах 3D и виртуальной реальности, экшн-камерах и беспилотных летательных аппаратах.
Линейка Samsung включает карты на 32, 64, 128 и 256 ГБ. В компании не уточнили, когда новые карты памяти появятся в продаже и сколько будут стоить.

Возросшая производительность
Задуманные на смену microSD, новые карты памяти предлагают более высокую производительность (при этом их контактная группа с microSD несовместима). Samsung привела в качестве примера показатели производительности карты на 256 ГБ.
Скорость последовательного чтения карт памяти microSD составляет 95 МБ/с, тогда как новой карты памяти Samsung емкостью 256 ГБ на базе стандарта UFS 1.0 Card Extension — 530 МБ/с, то есть в 5,6 раза больше. Карты памяти microSD поддерживают около 1,8 тыс. IOPS (операций ввода/вывода в секунду) в режиме чтения, тогда как новая карта — 40 тыс. IOPS, что больше в 20 раз.

Что касается скорости последовательной записи, у новой карты она вдвое больше, чем у microSD, и составляет 170 МБ/с. Количество поддерживаемых операций ввода/вывода в режиме записи составляет 35 тыс. IOPS, что в 350 раз превышает показатель microSD (100 IOPS).
Увеличение скорости будет особенно полезным для профессиональных фотографов, отметили в Samsung. Так, чтобы сделать 24 кадра в режиме последовательной съемки в формате JPEG наивысшего качества и сохранить их на карту памяти, камере нужно около 32 секунд, если используется microSD. В случае же с картой на базе стандарта UFS 1.0 Card Extension это время составит около семи секунд.

Стандарт UFS 1.0 Card Extension
Стандарт UFS 1.0 Card Extension был разработан организацией JEDEC в марте 2016 г., в том числе при участии Samsung. Стандарт базируется на UFS 2.0, который был представлен в 2013 г. В отличие от UFS 2.0 (и UFS 1.0), новый стандарт предназначен для съемных носителей информации.

07/07/2016

https://www.youtube.com/watch?v=BDRsV5WAZ88&feature=em-subs_digest

InstaShow ™ WDC10 - это уникальное профессиональное решение, которое обеспечивает мгновенное беспроводное подключение любого участника встречи к устройству о...

04/07/2016

http://itmart.kz/category/arenda-prezentacionnogo-oborudovanija/

16/06/2016

http://itmart.kz/category/remont-i-obsluzhivanie/

14/06/2016

http://www.allprojectors.ru/ap_module/content/article/11554

Новые серии профессиональных проекторов G7### и L1### компания Epson анонсировала полгода назад и сейчас они уже начинают поставляться, но до сих пор, даже после демонстраций на выставках ISE и infoComm, почти никто не знает, что половина из-них обладает 4K UHD разрешением.