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Mercado Comp

Venda de Componentes Eletrônicos em Geral.

05/03/2025

Circuito Integrado S3C863AXE9-AQBA = LGM31B-160/CJH

Foto meramente ilustrativa

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04/03/2025

Circuito Integrado 93C46 Smd = B97AF C46A

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03/03/2025

Capacitor Cerâmico 820pF x 1Kv 10% = B821K 1Kv
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Valor unitário

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02/03/2025

Capacitor Poliéster 68K x 50V = 683J

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01/03/2025

Circuito Integrado 4N27
Optoacoplador de Saída Transistorizada DIP-6

Especificações:
Fabricante: Lite - ON
Categoria de produto: Optoacopladores de saída transistorizados
Caixa / Gabinete: PDIP-6
Tipo de saída: fototransistor NPN
Número de canais: 1 canal
Se - Corrente direta: 100 mA
Tensão do emissor do coletor máximo: 30 V
Tensão de isolamento: 5300 Vrms
Tensão de saturação do emissor do coletor máximo: 0,5 V
Vf - Tensão no sentido direto: 1.5 V
Vr - Tensão no sentido inverso: 6 V
Pd - Dissipação de potência: 250 mW
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 100 C
Embalagem: Vareta
Altura: 5,08 mm
Comprimento: 8,89 mm
Largura: 6,86 mm
Marca: Lite - on
Tipo de Produto: Optoacopladores de saída a transistor
Subcategoria: Optoacopladores
Aliases de núm de peça: 4N27

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28/02/2025

Transistor 2SK152

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27/02/2025

Transistor 2SD636
Designador de tipo: 2SD636
Material do transistor: Si
Polaridade: NPN
Dissipação Máxima de Potência do Coletor (Pc): 0,4 W
Tensão máxima de base do coletor |Vcb|: 30 V
Tensão máxima coletor-emissor |Vce|: 25 V
Tensão máxima de base do emissor |Veb|: 7 V
Corrente máxima do coletor |Ic max|: 0,1 A
Máx. Temperatura de Junção Operacional (Tj): 135°C
Frequência de Transição (pés): 75 MHz
Capacitância do Coletor (Cc): 3,5 pF
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 90
Figura de ruído, dB: -
Pacote: X73

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26/02/2025

Transistor 2SC373

Designador de tipo: 2SC373
Material do transistor: Si
Polaridade: NPN
Dissipação máxima de energia do coletor (Pc): 0,2 W
Tensão Máxima da Base do Coletor | Vcb |: 35 V
Tensão máxima do coletor-emissor | Vce |: 30 V
Tensão Base Máxima do Emissor | Veb |: 4 V
Corrente máxima do coletor | Ic máx |: 0,1 A
Máx. Temperatura de operação da junção (Tj): 125 ° C
Frequência de transição (ft): 80 MHz
Capacitância do coletor (Cc): 3,5 pF
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 200
Figura de ruído, dB: -
Pacote: TO98-1

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25/02/2025

Transistor 2SC1214

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24/02/2025

Transistor 2SA1281
Transistor de Silicio PNP To-92

Designador de tipo: 2SA1281
Material do transistor: Si
Polaridade: PNP
Dissipação máxima de energia do coletor (Pc): 0,9 W
Tensão máxima da base do coletor | Vcb |: 180 V
Corrente máxima do coletor | Ic máx |: 0,1 A
Máx. Temperatura de operação da junção (Tj): 175 ° C
Frequência de transição (ft): 130 MHz
Capacitância do coletor (Cc): 62 pF
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 90
Figura de ruído, dB: -
Pacote: TO-92

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23/02/2025

Circuito Integrado 24C08WP

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22/02/2025

Diodo Retificador 1N5819

Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Diodos e retificadores Schottky
Produto: Retificadores Schottky
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: DO-41
Configuração: Single
Tecnologia: Si
Se - Corrente direta: 1 A
Vrrm - Tensão inversa repetitiva: 40 V
Vf - Tensão no sentido direto: 0.55 V
Ifsm - Corrente de surto no sentido direto: 25 A
Ir - Corrente inversa: 500 uA
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 1N5819
Altura: 2,7 mm
Comprimento: 5,2 mm
Tipo: Retificador Schottky
Largura: 2,7 mm
Marca: STMicroelectronics
Tipo de Produto: Diodos e retificadores Schottky
Subcategoria: Diodos e retificadores

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R. Vitória, 119
São Paulo, SP
01210-001

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